碳方程新材料公司在CVD长晶设备研发生产上形成了完善的设备及产品体系,并且在CVD金刚石实验室生长工艺研发上取得了突破性的进展,以“设备+工艺”为方针,相互引导,相互依托,以规模生产为研发基石,共筑”MPCVD”生产技术蓝图。

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重磅!Frore Systems推出金刚石冷板,正式应用于 GPU 散热

  • 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
  • 类别:行业新闻
  • 更新时间:2026-10-16 18:39:34
  • 浏览量:3人阅读

近日,美国热管理公司Frore Systems发布LiquidJet Diamond液冷冷板。这款产品并非从零开始,而是在其现有LiquidJet 3D超短回路多级冷板基础上,于冷板底部、GPU裸片热点的正上方,集成了一层7mm×7mm的金刚石晶圆均热片,构成嵌在冷板内部的“热流缓冲层”。

和很多人想象的全金刚石冷板不同,这款产品的思路非常务实:不在整个冷板用金刚石,仅在 GPU 裸片热点的正上方,嵌了一块 7mm×7mm 的金刚石晶圆均热片。

四道工程难关

界面

金刚石热膨胀系数约1 ppm/K,铜接近17 ppm/K,冷热循环下易翘曲、分层。更关键的是,热量要穿过TIM、金属化层、焊层才能进入金刚石,只要中间任何一层的接触热阻没解决,金刚石的超高导热就兑现不成芯片温度的下降。


加工

金刚石是最硬的材料,也最难加工。切割、打孔、与冷板底面共面都依赖激光等专用工艺,而与裸片贴合的平面度和粗糙度直接决定接触热阻——加工精度不到位,理论收益在装配环节就被抹掉一大截。


匹配

金刚石只是把尖锐的点热源摊成平缓的面热源、削掉热流密度峰值,热量最终还得靠下方流道带走。摊热能力必须与冷板换热能力匹配设计,单堆材料解不出这道题;靠加大流量、压低水温硬扛,泵功耗与CDU成本又会反噬PUE与TCO。


落地

大尺寸高质量金刚石片源产能有限、成本不低;热点位置随芯片代际变化,冷板几乎每代都要按目标GPU定制重开工艺。而理想条件下的数据能否在真实机柜复现,目前也缺少统一标准与第三方验证 。

Frore 的三层技术逻辑

第一层,多级流道:3D 超短回路依据芯片功耗地图分配冷却液,优先集中冲刷 GPU 热点,再覆盖 HBM 与 SoC 其他芯粒,从 “均匀洒水” 升级为 “精确点射”;


第二层,金刚石均热片:嵌装在冷板底面热点正上方,先把热量横向快速摊开、降低局部热流密度,再交给下方3D短回路喷射液冷带走 ;


第三层,即插即用设计,规避芯片级重构带来的漫长周期与生态绑定难题,快速适配现有算力基础设施。

目前整个金刚石散热赛道,已经分出了清晰的技术梯队。最容易落地的就是冷板级增强,像 Frore 这种局部嵌入金刚石的方案,不用动芯片生态,推广最快;国内也有厂商在浸没液冷、复合材料冷板里批量应用金刚石材料。更进一步是芯片级重构,直接把金刚石键合到减薄的芯片背面,散热效果最好,但改动太大,普及慢。最上游是材料级供应,国内外厂商都在扩产大尺寸金刚石衬底,降本提良率是核心。


Frore 方案中核心的 7×7mm 金刚石均热片,量产源头依赖高性能 MPCVD 装备。碳方程 MPCVD 设备正是制备这类半导体级金刚石热沉片的国产长晶装备。


碳方程 75200A(915MHz)MPCVD 设备,单炉可稳定量产多达 489 片 7×7mm 规格单晶金刚石,完美匹配 GPU 热点均热片的批量生产需求;设备还可稳定生长 8 英寸大尺寸多晶金刚石,兼顾大尺寸热沉研发与规模化量产。依托微波等离子体无电极污染的技术特性,设备可制备高热导率、低缺陷的金刚石材料,全流程参数闭环可控、工艺配方可固化,支持 24×7 长时间连续稳定运行,有效降低单片金刚石的制造成本。


从材料底层装备出发,碳方程以 “设备 + 工艺” 一体化方案,为 AI 服务器 GPU 液冷、第三、四代半导体热沉等极限热管理场景,持续提供国产金刚石长晶解决方案,助力金刚石从实验室材料走向算力基建大规模应用。

总结

AI 散热已经从 “堆料” 进入 “精准优化” 的阶段。金刚石不是万能材料,用在热点位置精准补短板,才是当下最务实的落地路径。

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