碳方程新材料公司在CVD长晶设备研发生产上形成了完善的设备及产品体系,并且在CVD金刚石实验室生长工艺研发上取得了突破性的进展,以“设备+工艺”为方针,相互引导,相互依托,以规模生产为研发基石,共筑”MPCVD”生产技术蓝图。

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碳方程915MHZ MPCVD设备赋能多品类金刚石材料量产

  • 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
  • 类别:公司新闻
  • 更新时间:2026-08-28 16:46:46
  • 浏览量:3人阅读

当芯片功率密度持续攀升,传统铜铝散热材料逐渐触达性能天花板。金刚石凭借2000W/(m・K) 以上超高热导率,被称为 “终极散热材料”,是宽禁带功率器件、高功率设备的核心刚需基材。而大尺寸、高均匀性金刚石的规模化制造,高度依赖高性能 MPCVD 装备。

碳方程75200A MPCVD设备

碳方程75200A MPCVD设备采用915MHz 微波频率与75KW 运行功率,可支撑更大面积金刚石均匀生长,是制备晶圆级金刚石材料的优选设备。设备可拓展空间大,兼顾研发与量产需求,适配不同阶段的金刚石材料研发实验与规模化量产工作,应用场景灵活广泛。


设备具有等离子体体积大、分布均匀的特点,可稳定生长高质量8英寸规格的大尺寸多晶金刚石,突破传统设备尺寸生长限制。同时设备实现全流程参数闭环可控,工艺配方可固化,可复现性强,有效规避工艺波动带来的产品质量差异,保障每一批次金刚石产品的稳定性。设备可单周期连续运行500h+,支持毫米级厚多晶金刚石生长;且可以 24×7 连续稳定生产。

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8 英寸大尺寸金刚石热沉片

设备可稳定生长 8 英寸多晶金刚石,薄膜厚度可控、片内性能均匀,热导率表现优异。大尺寸金刚石有效提升后续切片利用率,降低单位产品成本,适配第三代半导体封装热沉、高功率激光窗口等需求,解决大功率 GaN、SiC 器件的 “热病”难题。

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高品质单晶金刚石

面向单晶金刚石生产场景,单炉可稳定产出 489 片 7×7mm 规格单晶金刚石,成品净度可达 VVS 级,晶体缺陷少。既可用于工业刀具,也可满足培育钻石毛坯的生产需求,兼顾产能与品质。

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材料应用场景

◆ 第三代半导体:SiC/GaN 功率器件金刚石热沉,降低器件结温,提升功率密度与设备可靠性,用于射频基站、新能源功率模块、AI 算力芯片散热。


◆ 激光与光学领域:高功率激光器金刚石窗口、红外光学元件,耐受极端工况,保障光路稳定运行。


◆ 精密加工行业:高品质单晶金刚石毛坯,用于超硬刀具、磨具,提升精密加工的切削寿命。


◆ 前沿科研:服务量子传感、量子计算等前沿方向。

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总  结

随着第三代半导体的加速发展,市场对大尺寸、高导热金刚石材料需求持续爆发。装备强,则材料强;材料强,则产业强。


未来,碳方程将持续优化大尺寸金刚石产品设备性能,拓展更大尺寸、更高性能金刚石材料,助力国内超硬材料与半导体产业链向上突破。

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