碳方程新材料公司在CVD长晶设备研发生产上形成了完善的设备及产品体系,并且在CVD金刚石实验室生长工艺研发上取得了突破性的进展,以“设备+工艺”为方针,相互引导,相互依托,以规模生产为研发基石,共筑”MPCVD”生产技术蓝图。

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如何选择一台性能好的MPCVD设备呢?

  • 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
  • 类别:公司新闻
  • 更新时间:2024-06-04 08:39:28
  • 浏览量:43人阅读

在选择一台比较好的MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)设备时,需要综合考虑多个方面以确保设备能够满足您的具体需求。以下是几个关键的考量点。

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1、极限真空压力与真空漏气率

极限真空压力是衡量设备性能的重要指标,行业极限标准为:1.3pa,然而极限真空压力越小,真空漏气率越低,这对提升产品品质和净度等级至关重要,而真空漏气率是保证生长环境免受环境干扰的重要因素,对产品的影响更为重要。碳方程MPCVD设备极限真空压力达到0.5pa,真空漏气率达到为:5e-10pam³/s。

在培育钻石的过程中, 真空漏气率过高会导致氮气进入腔体,钻石生长就会过快,进而影响钻石的生长速度和品质,甚至使产品呈现咖色,降低其净度等级。

2、离子形态的稳定

离子形态的稳定是确保设备能够长时间稳定运行的关键因素,也是最容易被忽视的一点,离子形态的不稳定会使晶体表面发生温度的变化和甲烷电离程度的波动,此时,因为离子形态的不同,就会有多晶的产生,从而影响产品的品质。

理想的离子球形态应该是扁平的,这样可以确保晶体在生长过程中能够均匀生长,减少中心与边缘的生长效率差异,而离子球的形态也决定单炉能生长产品的数量。

碳方程10800系列设备,通过特殊的设计,采用金属和全氟橡胶密封保证了设备的极限真空压力及真空漏气率,特殊的腔体形态,使其成为扁平形态,能够使晶体能够在整个生长过程中保持稳定,极大地提升了产品的品质。

以钻石生长260小时为例,中心及边缘生长效率仅为1-2%之差;

3英寸多晶产品以生长目标为0.5毫米为例,最终中心及边缘厚度偏差仅为0.018毫米。

总之,在选择一台性能卓越的MPCVD设备时,需要综合考虑极限真空压力与真空漏气率、离子形态的稳定性等多个方面。通过仔细比较和评估不同设备的特点和优势,选择最适合您需求的设备。

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